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富士电机拥有一系列高品质、高可靠性功率半导体产品，可适用于各种用途。
产品一览 IGBT模块 X系列的优点 SiC模块 技术信息 产品一览 IGBT模块 Small IPM IPM Small PIM PIM 6-Pack 2-Pack 1-Pack 斩波器 3电平 SiC模块 IGBT混合型SiC模块 All-SiC模块 IGBT模块 X系列的优点 第7代IGBT模块X系列的新产品信息 PDF(659KB)本公司第7代“X系列”通过薄化构成本模块的IGBT元件以及二极管元件的厚度，使其小型化，从而优化元件结构。因此，与以往产品相比（本公司第6代“V系列”），降低变换器运行时的电力损耗。有利于运载机器节能和削减电力成本。 1. 低损耗通过薄化构成本模块的IGBT元件以及二极管元件的厚度，使其小型化，从而优化元件结构。因此，与以往产品相比（本公司第6代“V系列”），降低变频器运行时的电力损耗。 变频器损耗降低10%，芯片温度降低11℃（与第6代V系列75A, fc=8kHz相比） 2. 小型化运用新开发的绝缘板，提高模块的散热性能。通过与上述（降低电力损耗）配合控制散热，与以往制品相比，约减小36%，实现了小型化※ 1。 3. 高温动作通过对高可靠性高耐热封装和芯片进行优化，实现175℃连续动作。 与过去产品相比可进一步提高35%的输出 提高ΔTvj 功率循环性（过去的2倍） IGBT模块 X系列的产品系列（含正在开发） 650V/1200V/1700VPIM： Power Integrated Modules, 将多个电路放在一个模块中的产品 RC-IGBT： Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor（逆导通 绝缘门双极型晶体管） EconoPIM™, PrimePACK™是Infineon Technologies公司的注册商标 SiC模块 搭载SiC-SBD的IGBT混合模块X系列/V系列 IGBT混合型SiC模块的新产品信息 PDF(532KB)适用高性能芯片 低损耗的X系列/V系列IGBT 低损耗的SiC-SBD 兼容旧款Si-IGBT模块产品封装 All-SiC模块通过采用最新的沟槽型MOSFET大幅降低损耗 兼容旧款Si-IGBT模块产品封装 封装的低电感化 技术信息 IGBT模块 应用手册 IGBT模块 第7代X系列IGBT模块 第6代V系列IGBT模块 3电平模块 Small IPM X系列 Small IPM V系列（民用） Small IPM V系列（工业用） V-IPM X-IPM [UP] R-IPM 技术资料 Advanced NPC 3电平变频器模块 IGBT模块 X系列通用 IGBT模块 V系列通用 IGBT模块 U系列通用 Small IPM X系列 安装说明书 功率模块安装说明书 [UP] 模拟软件 Fuji IGBT Simulator Online Fuji IGBT Simulator （在线模拟软件） 选型手册 选型手册 [25A2-C-0005] PDF(17,7MB) SiC模块 应用手册 应用手册 安装说明书 功率模块安装说明书 选型手册 选型手册 [25A2-C-0005] PDF(17,7MB) |
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